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晶体管的四种电压参数是什么意思?


     BVCBO、BVCEO、BVCES、BVCER电压称为晶体管的击穿电压,4种晶体管击穿电压分别介绍如下。

    ①B VCBO:称为发射极开路,集电极与基极间的击穿电压。由图1-100 (a)所示电路可知,当集电极和基极间加反向电压VCB时,集电极反向电流为ICBO。反向电压在一定范围内变化时,/CBO基本上保持不变。但当VCB增加到一定值时,反向电流急剧上升,此现象称为击穿现象。这时的反向电压就以BVCBO表示。
    ②BVCEO:称基极开路,集电极与发射极间的击穿电压。在图1-100 (b)中,当VCE超过一定值时,ICEO急剧上升,此时反向电压以BVCEO表示。
    ③BVCES:称基极和发射极短路,集电极与发射极间的击穿电压,如图1-101 (a)所示,当VCE超过一定值时,/CES将急剧上升,此时反向电压用BVCES表示。
    ④BVCER:称基极和发射极接有电阻R、集电极与发射极间的击穿电压。同上面一样,在图1-101 (b)中,当VCE超过一定值时,/CER急剧上升,此时的反向电压用BVCER表示。
    要想知道以上四种晶体管击穿电压之间有什么关系,首先必须简单地了解一下击穿原理,如PNP型管的击穿电压BVCBO。当形成反向电流/CBO的集电区的电子和基区的空穴,在通过集电结的过程中碰撞集电结中的原子,一个载流子(电子或空穴)可以撞出原子最外层轨道上的电子,结果产生一对新的载流子,这时新的载流子又继续碰撞其他原子,如同雪崩一样使电流发生剧增,称为雪崩击穿。发生这种现象时的VCB就是BVCBO。由于ICBO <ICES <ICER<ICEO,显然底数比较大的反向电流,达到雪崩击穿时的击穿电压自然比较小,因此存在着BVCBO>BVCES>BVCER>BVCEO的关系。

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